Datasheet下载- 型号： MT41K512M8RH-125 AAT:E
- 制造商： Micron Technology Inc
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K512M8RH-125 AAT:E由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K512M8RH-125 AAT:E价格参考。Micron Technology IncMT41K512M8RH-125 AAT:E封装/规格：存储器， SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA（9x10.5）。您可以下载MT41K512M8RH-125 AAT:E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT41K512M8RH-125 AAT:E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT41K512M8RH-125 AAT:E 是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款DDR3L SDRAM存储器，属于高性能、低功耗的8Gb（512M×8）动态随机存取存储器。该型号采用80-ball FBGA封装，工作电压为1.35V，符合JEDEC标准的低电压规范，适用于对能效要求较高的系统。 该存储器主要应用于需要稳定性和高数据吞吐能力的嵌入式系统和网络设备中。典型应用场景包括：网络路由器、交换机、企业级服务器内存模块、工业控制设备、通信基站以及高端消费类电子产品如智能电视和数字机顶盒。由于其具备良好的温度适应性与可靠性，也常用于工业级和部分车载电子系统中。 此外，MT41K512M8RH-125 AAT:E 因其高密度和低功耗特性，被广泛用于固态硬盘（SSD）控制器、FPGA开发平台及各类数据处理加速卡中，作为临时数据缓存或系统运行内存。该器件支持自动刷新和自刷新模式，有助于降低系统整体功耗，适合长时间运行的设备。 综上所述，这款存储器适用于对稳定性、功耗和性能有较高要求的中高端工业、通信和计算领域，是现代电子系统中关键的内存组件之一。
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